Патогенетичне обґрунтування підвищення ефективності лікування патології шкіри у ВІЛ-інфікованих [] / В. В. Шухтін [та ін.] // Журнал Національної академії медичних наук України. - 2016. - Том 22, N 3/4. - С. 414-425
MeSH-головна:
ВИЧ ИНФЕКЦИИ -- HIV INFECTIONS (эпидемиология, этиология)
КОЖНЫЕ БОЛЕЗНИ -- SKIN DISEASES (лекарственная терапия, эпидемиология, этиология)
КОЖА -- SKIN (патология)
Анотація: Стаття присвячена вивченню основних ланок патогенезу ураження шкіри у ВІЛ-інфікованих пацієнтів в стадії СНІДу на основі вивчення імунодефіциту і ролі дисбіозу. Встановлено, що у хворих на СНІД ураження шкіри і слизових оболонок спостерігаються у понад 80 % випадків, особливо на III (32,5 %) і IV (66,4 %) стадіях ВІЛ-інфекції. Ураження шкіри знаходяться в залежності від ступеня пригнічення імунітету: при зниженні кількості CD4 Т-лімфоцитів менше 200 мкл[[p]]-1[[/p]] збільшується частота і тяжкість захворювання шкіри у хворих на СНІД. У хворих на СНІД при морфологічних дослідженнях в ділянках неушкодженої шкіри виявлено ряд особливостей їх будови. У власне шкірі зареєстровано чергування ділянок з впорядкованим (сітчастим) розташуванням пучкіїз фіброзних і м’язових волокон і ділянок, де ця впорядкованість змішана. Переважна більшість волокон - еозинофільні. Характерною також є лімфоїдна інфільтрація і порушення мікроциркуляції. Мікроскопічне дослідження епідермісу не виявило візуального чіткого ділення на шари. У розвитку захворювань шкіри у ВІЛ-інфікованих пацієнтів визначальну роль в етіології має їх причина, а умови, що складаються в ступені зменшення імунного захисту організму внаслідок зниження кількості CD4 Т-лімфоцитів, як основної ланки патогенезу, з подальшою участю вторинних патогенетичних ланок, серед яких важливу роль відіграють явища дисбіозу. На підставі чого обґрунтовано новий напрям в удосконаленні лікування дерматологічної патології у хворих на СНІД на основі доповнення анти- ретровірусної терапії заходами щодо корекції дисбіозу пребіотиками.


Дод.точки доступу:
Шухтін, В.В.; Гойдик, В.С.; Шухтина, І.М.; Гоженко, А.І.
Экз-ры: